NTMFS4841NT1G-HXY

NTMFS4841NT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.7毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。低导通电阻有效降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频开关场景。其电气特性适合用于电源转换、电池管理系统、电动工具及各类对效率与热性能要求较高的电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4841NT1G-HXY

商品编号

C53263281

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.137克(g)