PHD101NQ03LT-HXY

PHD101NQ03LT-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为3.8毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。适用于高电流、高效率要求的电源管理场景，如服务器电源、通信设备供电模块及高性能计算平台中的负载开关与同步整流应用。器件在大电流工作条件下仍能维持稳定性能，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PHD101NQ03LT-HXY

商品编号

C53263278

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.382克(g)