PHD101NQ03LT-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为3.8毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。适用于高电流、高效率要求的电源管理场景，如服务器电源、通信设备供电模块及高性能计算平台中的负载开关与同步整流应用。器件在大电流工作条件下仍能维持稳定性能，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PHD101NQ03LT-HXY
商品编号: C53263278
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.382克(g)

商品参数