IRLR7833PBF-HXY

IRLR7833PBF-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。凭借极低的导通损耗，该器件适用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景，在持续高负载条件下仍能保持较低温升，有助于提升系统能效与运行可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLR7833PBF-HXY

商品编号

C53263275

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.383克(g)