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IRLR7833PBF-HXY
IRLR7833PBF-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。凭借极低的导通损耗，该器件适用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景，在持续高负载条件下仍能保持较低温升，有助于提升系统能效与运行可靠性。
- 商品型号
- IRLR7833PBF-HXY
- 商品编号
- C53263275
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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