IRLR8113PBF-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频率的开关电路。器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升，适合用于对热管理和效率有较高要求的电源管理、电池供电系统及各类紧凑型电力转换模块中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLR8113PBF-HXY

商品编号

C53263276

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.379克(g)