STD100N3LF3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，同时支持高电流密度工作。适用于对效率和热性能要求较高的开关电源、电机控制及大电流直流转换等电路，能够在高频开关条件下保持稳定运行，满足紧凑型高功率电子系统的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD100N3LF3-HXY
商品编号: C53263269
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414克(g)

商品参数