STD100N3LF3-HXY

STD100N3LF3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，同时支持高电流密度工作。适用于对效率和热性能要求较高的开关电源、电机控制及大电流直流转换等电路，能够在高频开关条件下保持稳定运行，满足紧凑型高功率电子系统的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD100N3LF3-HXY

商品编号

C53263269

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.414克(g)