IRLR8103VPBF-HXY

IRLR8103VPBF-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗与温升，提升整体运行效率。器件适用于高频率开关电源、电池管理系统、电动工具驱动电路以及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够满足对紧凑布局和热性能要求较高的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLR8103VPBF-HXY

商品编号

C53263271

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)