IRLR8103VTRPBF-HXY

IRLR8103VTRPBF-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗，适用于电源管理、电机控制及各类高效开关电路。器件在持续大电流工作时仍能维持较低的温升，有利于提升系统整体效率与长期运行的稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLR8103VTRPBF-HXY

商品编号

C53263274

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.39克(g)