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RQ3E150MNTB1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率，同时支持较高的开关频率。适用于高效率电源转换、电机驱动及大电流开关电路等应用，在紧凑型设计中可有效降低温升并提高功率密度。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RQ3E150MNTB1-HXY
商品编号: C53263270
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.07克(g)

商品参数

参数完善中