RQ3E150MNTB1-HXY

RQ3E150MNTB1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率，同时支持较高的开关频率。适用于高效率电源转换、电机驱动及大电流开关电路等应用，在紧凑型设计中可有效降低温升并提高功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RQ3E150MNTB1-HXY

商品编号

C53263270

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)