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SI7374DP-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）能力，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）最高达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗和温升，适合用于高效率电源模块、电池供电设备、电机驱动及高频开关电路等场合，能够有效支持大电流负载下的可靠运行。
- 商品型号
- SI7374DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263266
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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