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IRF7809ATR-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率有较高要求的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少发热，提升系统整体能效，在高频开关应用中表现出良好的动态性能和稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF7809ATR-HXY
商品编号: C53263267
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.122克(g)

商品参数

参数完善中