IPD30N03S2L10ATMA1-HXY

IPD30N03S2L10ATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7mΩ。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。器件结构支持高频开关操作，在负载切换、同步整流及高效DC-DC转换等应用中表现稳定可靠。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD30N03S2L10ATMA1-HXY

商品编号

C53263260

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)