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NTMFS4C09NCT1G-HXY
NTMFS4C09NCT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在导通状态下其导通电阻低至4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。凭借低导通电阻与高电流承载能力，该器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景，能够有效降低导通损耗并提升系统整体能效。
- 商品型号
- NTMFS4C09NCT1G-HXY
- 商品编号
- C53263264
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
参数完善中
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