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SI7374DP-T1-E3-HXY
SI7374DP-T1-E3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。器件在高电流条件下仍能维持较低的导通损耗，适用于电源转换、电池管理系统、电动工具及各类高效率开关电路中，其低阻抗特性有助于提升系统能效并减少发热。
- 商品型号
- SI7374DP-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C53263265
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
参数完善中
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