AON7516

AON7516

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5mΩ。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场合，如开关电源、电池管理系统及大电流负载开关等应用，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AON7516

商品编号

C53263261

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.068克(g)