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DMG7702SFG-7-HXY
DMG7702SFG-7-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET额定漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧，在低电压应用中可有效降低导通损耗。器件适用于对效率和热性能有要求的电源管理场合，如开关电源、负载开关及便携式设备的功率控制模块。其参数组合兼顾电流承载能力与导通特性，适合在紧凑型电路设计中实现高效能量传输。
- 商品型号
- DMG7702SFG-7-HXY
- 商品编号
- C53263258
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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