NTMFS4C810NAT3G-HXY

NTMFS4C810NAT3G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。其低导通电阻有助于减少功率损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高电流开关等应用场景。器件采用标准封装，便于在紧凑型电路中集成，同时确保在高负载条件下的稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4C810NAT3G-HXY

商品编号

C53263254

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.138克(g)