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NVMFS4C03NWFT3G-HXY
NVMFS4C03NWFT3G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持150A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为1.4毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。凭借极低的导通电阻，器件在高电流工作时能有效抑制功耗与温升，适用于大功率电源转换、高效电机驱动及同步整流等对能效和热性能要求严苛的场合。其结构设计有利于实现快速开关响应，有助于提升整体电路效率与动态性能。
- 商品型号
- NVMFS4C03NWFT3G-HXY
- 商品编号
- C53263251
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 551pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 627pF |
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