SI7328DN-T1-E3-HXY

SI7328DN-T1-E3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。器件结构支持高速开关操作，在各类高频率、大电流的电子电路中可实现稳定可靠的性能表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7328DN-T1-E3-HXY

商品编号

C53263252

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.075克(g)