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STD100N03LT4-HXY
STD100N03LT4-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.8毫欧。凭借其低导通电阻和高电流承载能力，器件在大功率开关应用中可显著降低导通损耗与发热。适用于高频开关电源、电机驱动、电池保护电路及高效率功率转换系统等场合，能够在紧凑布局下维持良好的热性能与电气稳定性。
- 商品型号
- STD100N03LT4-HXY
- 商品编号
- C53263247
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
参数完善中
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