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SI7634BDP-T1-E3-HXY
SI7634BDP-T1-E3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在导通状态下漏源电阻仅为4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于降低功耗与温升，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构支持快速开关特性，配合合适的驱动电路可有效提升系统整体响应速度与能效表现。
- 商品型号
- SI7634BDP-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C53263249
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
参数完善中
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