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SI7634BDP-T1-E3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在导通状态下漏源电阻仅为4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于降低功耗与温升，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构支持快速开关特性，配合合适的驱动电路可有效提升系统整体响应速度与能效表现。
- 商品型号
- SI7634BDP-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C53263249
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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