STL55NH3LL-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.5毫欧，在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电池保护及高效开关电路等场景。器件结构优化了开关特性，适合高频操作环境下的可靠运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STL55NH3LL-HXY
商品编号: C53263241
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.139克(g)

商品参数