STL15N3LLH5-HXY

STL15N3LLH5-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减小导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于对电流承载能力和开关性能有较高要求的电源管理、电池供电设备及高效能电子系统中的功率控制环节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL15N3LLH5-HXY

商品编号

C53263245

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)