STL80N3LLH6-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，同时支持高电流密度工作。器件适用于需要高效功率转换和快速开关响应的场合，如电源模块、便携式设备供电系统及各类高效率电子装置中的功率控制与管理环节。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STL80N3LLH6-HXY
商品编号: C53263244
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数