STL75N3LLZH5-HXY

STL75N3LLZH5-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力与较低的导通压降，该MOSFET可广泛用于各类高频率开关电路及负载切换应用中，确保稳定可靠的运行表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL75N3LLZH5-HXY

商品编号

C53263240

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.144克(g)