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DI032N03PTK-HXY
DI032N03PTK-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为4毫欧，适用于高效率功率转换场合。其低导通电阻有效降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能维持较低温升。器件支持标准逻辑电平驱动，适合用于开关电源、电池管理系统、电动工具及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够满足对紧凑布局与热性能要求较高的设计需求。
- 商品型号
- DI032N03PTK-HXY
- 商品编号
- C53263231
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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