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DI032N03PTK-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为4毫欧，适用于高效率功率转换场合。其低导通电阻有效降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能维持较低温升。器件支持标准逻辑电平驱动，适合用于开关电源、电池管理系统、电动工具及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够满足对紧凑布局与热性能要求较高的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DI032N03PTK-HXY
商品编号: C53263231
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.071克(g)

商品参数

参数完善中