温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSO094N03S-HXY
BSO094N03S-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流和30V的漏源电压额定值，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于在中等电流应用中减少功率损耗并提升整体效率。器件适用于对体积和热管理有一定要求的电源开关、负载控制、便携式设备供电系统以及各类直流-直流转换场景，能够在常规驱动电压下实现稳定可靠的开关性能。
- 商品型号
- BSO094N03S-HXY
- 商品编号
- C53263232
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- STL86N3LLH6AG-HXY
- SI7806ADN-T1-GE3-HXY
- BSC059N03SG-HXY
- NTMFS4852NT3G-HXY
- STD60NF3LLT4-HXY
- STD70N03L-HXY
- BSC052N03SG-HXY
- STL75N3LLZH5-HXY
- STL55NH3LL-HXY
- IRLR7811WCPBF-HXY
- STL17N3LLH6-HXY
- STL80N3LLH6-HXY
- STL15N3LLH5-HXY
- STD90N03L-HXY
- STD100N03LT4-HXY
- SPD50N03S2-07-HXY
- SI7634BDP-T1-E3-HXY
- RJK0393DPA-00#J5A-HXY
- NVMFS4C03NWFT3G-HXY
- SI7328DN-T1-E3-HXY
- SI7446BDP-T1-GE3-HXY
- STL86N3LLH6AG-HXY
- SI7806ADN-T1-GE3-HXY
- BSC059N03SG-HXY
- NTMFS4852NT3G-HXY
- STD60NF3LLT4-HXY
- STD70N03L-HXY
- BSC052N03SG-HXY
- STL75N3LLZH5-HXY
- STL55NH3LL-HXY
- IRLR7811WCPBF-HXY
- STL17N3LLH6-HXY
- STL80N3LLH6-HXY
- STL15N3LLH5-HXY
- STD90N03L-HXY
- STD100N03LT4-HXY
- SPD50N03S2-07-HXY
- SI7634BDP-T1-E3-HXY
- RJK0393DPA-00#J5A-HXY
- NVMFS4C03NWFT3G-HXY
- SI7328DN-T1-E3-HXY
- SI7446BDP-T1-GE3-HXY