SI7806ADN-T1-GE3-HXY

SI7806ADN-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至9mΩ。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等场景。器件采用标准封装，便于集成于各类高频率、高效率的电子电路中，满足紧凑型设计对空间与性能的双重需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7806ADN-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263234

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)