温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7806ADN-T1-GE3-HXY
SI7806ADN-T1-GE3-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至9mΩ。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等场景。器件采用标准封装，便于集成于各类高频率、高效率的电子电路中，满足紧凑型设计对空间与性能的双重需求。
- 商品型号
- SI7806ADN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263234
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- BSC059N03SG-HXY
- NTMFS4852NT3G-HXY
- STD60NF3LLT4-HXY
- STD70N03L-HXY
- BSC052N03SG-HXY
- STL75N3LLZH5-HXY
- STL55NH3LL-HXY
- IRLR7811WCPBF-HXY
- STL17N3LLH6-HXY
- STL80N3LLH6-HXY
- STL15N3LLH5-HXY
- STD90N03L-HXY
- STD100N03LT4-HXY
- SPD50N03S2-07-HXY
- SI7634BDP-T1-E3-HXY
- RJK0393DPA-00#J5A-HXY
- NVMFS4C03NWFT3G-HXY
- SI7328DN-T1-E3-HXY
- SI7446BDP-T1-GE3-HXY
- NTMFS4C810NAT3G-HXY
- STL60NH3LL-HXY