SIS448DN-T1-GE3-HXY

SIS448DN-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.7毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件结构优化了开关特性，能够在高频操作中保持良好的动态响应，适合用于紧凑型高效率电子系统中的功率控制与调节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIS448DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263230

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)