DMTH32M5LPS-13-HXY

DMTH32M5LPS-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。其超低导通电阻显著降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能维持较低温升。适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具及各类需要高功率密度与快速开关响应的电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH32M5LPS-13-HXY

商品编号

C53263219

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.149克(g)