STL60N3LLH5-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升，适用于高效开关电源、电池管理系统及各类中低压功率转换电路。器件在高频开关条件下仍能保持稳定性能，适合对能效和热管理有较高要求的电子设备。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STL60N3LLH5-HXY
商品编号: C53263224
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数