STS12NF30L-HXY

STS12NF30L-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5mΩ。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于中等功率的电源转换、负载开关及电机控制等场合，在高频开关操作中表现出良好的动态特性。其电气参数组合使其在空间受限且对热管理有一定要求的电子系统中具有实用价值。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STS12NF30L-HXY

商品编号

C53263225

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.122克(g)