RS1E300GNTB-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有150A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、1.4mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理与功率转换场景。器件在高负载条件下具备良好的热稳定性和开关响应能力，适合用于对功率密度和能效有严格要求的电子系统中，如高性能计算设备、服务器电源及大功率电机驱动等应用。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RS1E300GNTB-HXY
商品编号: C53263226
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数