SIR482DP-T1-GE3-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

描述

该N沟道MOSFET具备80A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时可确保可靠驱动。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具及各类需要高效功率转换与快速开关响应的电子设备中，能够有效支持紧凑布局与热管理需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR482DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263228

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.138克(g)