DMTH3004LFGQ-7-HXY

DMTH3004LFGQ-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4毫欧。其低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适用于对效率和热性能要求较高的开关电源、便携式设备供电系统以及各类高频率功率转换电路。器件在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适合用于需要高可靠性和紧凑布局的电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH3004LFGQ-7-HXY

商品编号

C53263223

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)