DMN3009SFGQ-13-HXY

DMN3009SFGQ-13-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流应用场景中表现出良好的热稳定性和功率处理能力。适用于对开关速度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制等场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3009SFGQ-13-HXY

商品编号

C53263220

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)