SPD30N03S2L-10-HXY

SPD30N03S2L-10-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现出良好的热稳定性和可靠性。适用于对功率密度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPD30N03S2L-10-HXY

商品编号

C53263218

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.393克(g)