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SI7726DN-T1-GE3-HXY
SI7726DN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。较低的导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗，提升整体能效。器件适用于需要高效开关性能的电源转换、负载开关及电机控制等应用，能够在频繁启停或持续导通状态下保持良好的热稳定性和可靠性。
- 商品型号
- SI7726DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263215
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
参数完善中
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