BSZ058N03LSGATMA1-HXY

BSZ058N03LSGATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗和温升，适用于高效开关电源、电池供电设备、电机控制及各类中高功率电子系统。器件在确保稳定开关性能的同时，支持紧凑布局与良好热管理。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSZ058N03LSGATMA1-HXY

商品编号

C53263210

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)