温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ058N03LSGATMA1-HXY
BSZ058N03LSGATMA1-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗和温升，适用于高效开关电源、电池供电设备、电机控制及各类中高功率电子系统。器件在确保稳定开关性能的同时，支持紧凑布局与良好热管理。
- 商品型号
- BSZ058N03LSGATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263210
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- SIS444DN-T1-GE3-HXY
- DMT3004LFG-7-HXY
- DMT3003LFGQ-13-HXY
- IRFR3707ZTRRPBF-HXY
- SI7726DN-T1-GE3-HXY
- DMT3003LFGQ-7-HXY
- IRFH7921TR2PBF-HXY
- SPD30N03S2L-10-HXY
- DMTH32M5LPS-13-HXY
- DMN3009SFGQ-13-HXY
- IPD040N03LGBTMA1-HXY
- DMTH3004LFGQ-13-HXY
- DMTH3004LFGQ-7-HXY
- STL60N3LLH5-HXY
- STS12NF30L-HXY
- RS1E300GNTB-HXY
- SIR330DP-T1-GE3-HXY
- SIR482DP-T1-GE3-HXY
- SIS330DN-T1-GE3-HXY
- SIS448DN-T1-GE3-HXY
- DI032N03PTK-HXY