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DMN3009LFVQ-7-HXY
DMN3009LFVQ-7-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低RDS(ON)特性有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。适用于高电流、高效率要求的电源管理及负载开关应用，尤其在频繁开关或持续大电流运行的电路中表现稳定，能够可靠支持多种电子设备中的功率控制功能。
- 商品型号
- DMN3009LFVQ-7-HXY
- 商品编号
- C53263202
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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