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DMT3003LFG-13-HXY
DMT3003LFG-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.5毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，使其适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电机驱动及高功率开关电路等场景。器件结构优化了开关性能，在高频操作下仍能保持稳定可靠的导通与关断特性，适合需要大电流处理能力的电子系统。
- 商品型号
- DMT3003LFG-13-HXY
- 商品编号
- C53263205
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.499nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 499pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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