DMT3006LFG-13-HXY

DMT3006LFG-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。在高电流应用中，其极低的导通损耗有助于减少发热并提升整体能效。适用于对功率密度和热管理有较高要求的场合，如开关电源、便携式设备的电源路径控制以及高效电机驱动等电子系统，能够支持稳定且高效的运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT3006LFG-13-HXY

商品编号

C53263204

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.075克(g)