温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT3006LFG-13-HXY
DMT3006LFG-13-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。在高电流应用中，其极低的导通损耗有助于减少发热并提升整体能效。适用于对功率密度和热管理有较高要求的场合，如开关电源、便携式设备的电源路径控制以及高效电机驱动等电子系统，能够支持稳定且高效的运行。
- 商品型号
- DMT3006LFG-13-HXY
- 商品编号
- C53263204
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- DMT3003LFG-13-HXY
- BSC080N03LSGATMA1-HXY
- IPD075N03LGBTMA1-HXY
- AON7424
- DMT3004LFG-13-HXY
- BSZ058N03LSGATMA1-HXY
- SIS444DN-T1-GE3-HXY
- DMT3004LFG-7-HXY
- DMT3003LFGQ-13-HXY
- IRFR3707ZTRRPBF-HXY
- SI7726DN-T1-GE3-HXY
- DMT3003LFGQ-7-HXY
- IRFH7921TR2PBF-HXY
- SPD30N03S2L-10-HXY
- DMTH32M5LPS-13-HXY
- DMN3009SFGQ-13-HXY
- IPD040N03LGBTMA1-HXY
- DMTH3004LFGQ-13-HXY
- DMTH3004LFGQ-7-HXY
- STL60N3LLH5-HXY
- STS12NF30L-HXY