DMT3006LFV-7-HXY

DMT3006LFV-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为6毫欧。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高效率电源转换、电机控制及高频开关电路等场合。其电气特性适合需要大电流承载能力和快速开关响应的电子系统，便于在紧凑布局中实现稳定可靠的功率管理。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT3006LFV-7-HXY

商品编号

C53263198

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)