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DMT3006LFVQ-13-HXY
DMT3006LFVQ-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）为6毫欧。其低导通电阻有助于有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于对电流承载能力和开关速度有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关电路等应用，能够在紧凑的电子系统中实现稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- DMT3006LFVQ-13-HXY
- 商品编号
- C53263199
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
参数完善中
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