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DMT3009LFVWQ-13-HXY
DMT3009LFVWQ-13-HXY
- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为45A，最大漏源电压为30V，导通电阻为6毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。器件在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换场合。其电气参数组合使其适合用于开关频率较高的电路中，能够有效支持负载切换与功率调节功能，满足多种电子系统对可靠功率控制的需求。
- 商品型号
- DMT3009LFVWQ-13-HXY
- 商品编号
- C53263201
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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