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DMN39M1LFVWQ-7-HXY
DMN39M1LFVWQ-7-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低RDS(ON)特性有效降低导通损耗，在高电流工作状态下保持较低功耗与温升。适用于对能效和热管理要求较高的开关电源、电池供电设备及高频功率转换电路，能够可靠支持大电流负载下的持续运行。
- 商品型号
- DMN39M1LFVWQ-7-HXY
- 商品编号
- C53263196
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
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