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DMN39M1LFVWQ-13-HXY
DMN39M1LFVWQ-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低了导通损耗，在高电流工作条件下仍能保持良好的热性能。适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电池管理系统及大电流开关等应用场景，能够在频繁或持续高负载运行中提供稳定可靠的开关特性。
- 商品型号
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY
- 商品编号
- C53263194
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
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