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DMN3011LFVWQ-7-HXY
DMN3011LFVWQ-7-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少发热，提升系统整体能效，在中低电压开关应用中表现出良好的动态响应与稳定性。
- 商品型号
- DMN3011LFVWQ-7-HXY
- 商品编号
- C53263186
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
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