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DMT3009LFVW-13-HXY
DMT3009LFVW-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备45A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6毫欧，栅源电压额定值为20V。其低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。器件适用于需要高效功率开关的场合，如电源转换、负载控制及电池供电设备中的功率路径管理，能够在高频率或大电流工作条件下保持稳定性能。
- 商品型号
- DMT3009LFVW-13-HXY
- 商品编号
- C53263189
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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