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DMT3009LFVW-13-HXY
DMT3009LFVW-13-HXY
- 描述
- 该N沟道MOSFET具备45A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6毫欧，栅源电压额定值为20V。其低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。器件适用于需要高效功率开关的场合，如电源转换、负载控制及电池供电设备中的功率路径管理，能够在高频率或大电流工作条件下保持稳定性能。
- 商品型号
- DMT3009LFVW-13-HXY
- 商品编号
- C53263189
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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