温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT35M4LPSW-13-HXY
DMT35M4LPSW-13-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧。器件结构优化了导通与开关特性，适用于对效率和热性能要求较高的中低压电源系统。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提升整体能效，适合用于高电流开关电路、直流-直流转换器及类似功率管理应用中。
- 商品型号
- DMT35M4LPSW-13-HXY
- 商品编号
- C53263192
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- AON7502
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY
- AON7788
- DMN39M1LFVWQ-7-HXY
- DMN3009LFVQ-13-HXY
- DMT3006LFV-7-HXY
- DMT3006LFVQ-13-HXY
- SISA84DN-T1-GE3-HXY
- DMT3009LFVWQ-13-HXY
- DMN3009LFVQ-7-HXY
- DMN3009SFG-13-HXY
- DMT3006LFG-13-HXY
- DMT3003LFG-13-HXY
- BSC080N03LSGATMA1-HXY
- IPD075N03LGBTMA1-HXY
- AON7424
- DMT3004LFG-13-HXY
- BSZ058N03LSGATMA1-HXY
- SIS444DN-T1-GE3-HXY
- DMT3004LFG-7-HXY
- DMT3003LFGQ-13-HXY