DMN3010LFG-13-HXY

DMN3010LFG-13-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升，提升整体能效。器件适用于对开关效率和热管理有较高要求的电源系统，能够在频繁开关操作中保持稳定的电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3010LFG-13-HXY

商品编号

C53263188

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)